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Hole scattering mechanism of strained Si/(111)Si_(1-x)Ge_x
基于费密金色的统治和 Boltzmann 碰撞术语近似的理论,散布拉紧的 Si/(111 ) Si1x Ge x 的机制的洞被建立包括电离杂质,散布的声学的......
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